1206 35V 475K X7R 负离子电容1206 35V 475K X7R
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负离子电容1206 35V 475K X7R负离子电容1206 35V 475K X7R充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
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1、NPO电容器
NPO是一种zui常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗zui稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变
PCB上的每一个元件也存在天线效应，元件的导电有些越大，天线效应越强。所以，同一类型芯片，封装尺度小的比封装尺度大的欧阳： 0755-2 9120592 可获得免费寄样服务，随时欢迎您的来 电天线效应弱。
同一设备，选用贴片元件比选用双列直插元件更易经过EMC测验。此外，天线效应还跟每个芯片的作业电流环路有关。要削弱天线效应，除了减小封装尺度，还应尽量减小作业电流环路尺度、降低作业频率和di/dt。留意类型的IC芯片(尤其是单片)的管脚规划会发现：它们