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ENI1220 IPM 测试系统

供应商:
西安易恩电气科技有限公司
企业类型:
生产厂家

产品简介

该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,
系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。

详细信息

ENI1220 IPM 测试系统  

 

 

系统概述

 

基础配置

 

该系统是测试IPM的测试设备,输出电压3000v.电流3000A,

系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。

 

电压

电流

 

 

标配

选配

标配

选配

 

 

1200V

1000V

200A

200A

 

 

2200V

400A

 

 

3300V

600A

 

 

4500V

1000A

 

 

6000V

2000A

 

配置/短路测试

 

电压

电流

短路测试

 

标配

选配

标配

选配

项目

范围

误差

分辨率

 

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V~1200V

±3%

10V

 

3300V

600A

测试电流

10A~75A

±3%

1A

 

4500V

1000A

短路电流

100A~500A

±3%

1A

 

6000V

2000A

短路时间

1 uS~10uS

可调

可调

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

测试功能

 

测试范围

测试参数

 

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

 

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

 

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

参数 / 精度

 

静态参数

 

动态参数

 

上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V

 

上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

 

上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A

 

上桥驱动IC静态工作电流测试

(Iqbs-U,V,W)

 

VD=VBS=15V,           

误差±3%,分辨率0.1V

 

上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V             

误差±3%,分辨率0.1V   

上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

 

上桥驱动IC导通阈值电压测试

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

 

toff-L: 50~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS

 

上桥驱动IC关断阈值电压测试

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS     

 

Trr-L :10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

 

上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,   

误差±3%,分辨率0.1mJ  

 

上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eoff-L: 0.1~10mJ  

误差±3%,分辨率0.1mJ

 

下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

集电极电压Vce:

100~1200V,

误差±3%,分辨率10V

 

下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)

 

故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

集电极电流Ice:

10~75A,

误差±3%,分辨率1A

 

过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))

 

下桥欠压保护监测电平(UVdd)

VD=VBS=15V,           

误差±3%,分辨率0.1V

 

下桥欠压保护复位电平(UVdr)

VIN=0~5V             

误差±3%,分辨率0.1V   

 

下桥驱动IC导通阈值电压

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

 

tc(on)-L :5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS    

 

下桥驱动IC关断阈值电压

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,   

误差±3%,分辨率1nS

 

tc(off)-L: 5~200nS,

误差±3%,分辨率1nS     

 

下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,    

误差±3%,分辨率1nS

 

下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,   

误差±3%,分辨率0.1mJ  

 

 

 

Eoff-L: 0.1~10mJ  

误差±3%,分辨率0.1mJ