太赫兹光谱测试仪
产品简介
详细信息
日本Advantest芯片缺陷测试TDR太赫兹光谱测试仪
TS9000 TDR/TDT Option
IC 封装电路版配线故障部位的高分辨率解析
高分辨率TDR/TDT系统实现高的信号品质
非破坏性分析IC封装以及电路版内部配线的故障部位
TS9000 TDR利用既有的太赫兹解析系统中的短脉冲信号处理技術，针对IC封装内部以及电路版内部的配线故障部位进行非破坏性分析的系统。使用探针信号的太赫兹脉冲和之前用电气产生的脉冲相比，脉冲短，带域宽，可得到更高分辨率的不良诊断。日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
抽取测定好的时间波形的变化，分析故障点(段路，短路，阻抗不匹配等)，把估计的故障点在测定对象的CAD数据上可视化呈现出来、很容易确定故障位置。
测定实例
-微凸、C4凸块的破断、接触不良分析
-硅穿孔（TSV）的接触不良诊断
-接头、树脂版内部的配线不良诊断
TDR测定原理
测定故障点产生的反射脉冲的迟延时间，换算成距离，确定故障位置
特性
-高分辨率：5μm以下的测定距離分辨率，确定不良故障位置
-不范围测定：300mm的测定距離范围
-故障部位的可視化 ：在被测定物的CAD数据上，确定故障位置(*)
-自動探测机制：对版进行自动探测、防止探针破损
-多器件对应：上升时间不同，提供3种探针（6ps(*), 12ps, 25ps(*))
上升时间快速探针-器件的高分辨率分析
上升时间慢速探针-适合长距离回路分析
※ 根据*的接触形状、可协商客户的个别需求。
TS9001 TDR：基于太赫兹技术的*封装失效分析
随着芯片的体积越来越小，而集成度越来越高，对无损高分辨率故障定位能力的需求逐渐增大。多年来富瑞博测试一直涉足于太赫兹领域的研究。集成多年的经验技术，TS9001 TDR系统。
TS9001 TDR系统可对倒装芯片BGA，晶圆级封装和2.5D / 3D 芯片等*半导体封装中的电路故障进行非破坏性和高分辨率分析。 -基于太赫兹技术的*封装失效分析
日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
TDR测定例
由OPEN/SHORT構成的传输线(長4/6/20mm)的TDR测定例
-故障模式是OPEN时，观察正反射脉冲、SHORT时，观察负反射脉冲
-SHORT/OPEN可进行故障分析
-由于太赫兹TDR的探针信号是脉冲、可以容易判断故障点的脉冲峰值
解析?表示机能
「TS9000 TDR」 标配「TDR/TDT Analyzer」。 除了参考良品和不良样品的波形差分以外、检出波形的変化点、确定接头到故障点的距离。
「CAD Data Link」option 在CAD配线数据上确定故障位置的功能，用于帮助确认故障点。
参考良品和不良样品的测定数据水平，补正位相的位相变动、只抽出样品波形的特征
日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
TDR/TDT Analyzer的波形演算功能以及标记功能、检出的峰值显示故障的位置特征
主要规格
项目规格THz-TDR/TDT性能通道数
TDR:1ch，TDT：1ch(option)故障位置检出分辨率<5 μm上升時間<12 ps（推荐） (<6ps，<25ps可选)测定距离tdr测定>300 mm@εeff = 3TDT测定
>600 mm@εeff = 3测定时间<5 min/point@TDR 300 mm探针配置面片面
探测方法自动位移台性能位置再现性<10 μm可动范围150mm×150mmTDR/TDT Analyzer搭载TDR CAD DATA LINK可选日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
电脑(OS:Windows7Pro.64bit)主要规格性能保证范围
温度范围:23±5℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)使用环境
温度范围:+10～+30℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)保存环境
温度范围:-10～+50℃ 相对湿度:80%以下(无冷凝)电源
-分析单元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA
-控制单元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA
外形尺寸/重量
-分析单元: 430(W) × 540(D) × 230(H) mm, 30 kg以下
-?光学单元: 430(W) × 240(D) × 220(H) mm, 14 kg以下
-探针台: 1250(W) × 830(D) × 650(H) mm, 130 kg以下
-控制单元: 450(W) × 580(D) × 200(H) mm, 15 kg以下
-延迟线单元：450(W) × 500(D) × 200(H) mm, 10 kg以下
基本构成，日本Advantest半导体芯片太赫兹光谱TDR解析系统
采用超短脉冲信号处理技术，具备5μm更高故障定位分辨率
业界的30秒级测量时间，可实现精确的故障位置识别（平均次数1024时，是传统产品的1/10）
高频探针系统的多功能连接
TS9001 TDR可以与客户自选的高频探针系统进行无障碍连接，从而以较低的价格构建故障分析环境，满足多样化的故障分析需求。
带有微凸的器件的故障分析（Failure analysis of devices with micro bump）
通过将TS9001与高分辨率显微镜一起连接到高频探测系统，可以对最小直径为50μm的微凸的器件进行故障分析。
温度控制功能
如果系统连接到具有热系统功能的高频探测系统，则还可以对低温/高温下的器件进行故障分析。
什么是TDR
TDR（时域反射计）被广泛用于电路故障定位。输入脉冲信号在器件内部的电路故障时反射信号，用户可以通过比较好片和坏片之间的时域波形，进而确定故障位置和故障模式（开路或短路）。