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自动化/电子/LED传感器图像传感器

MV-IS CCD、CMOS、image sensor图像传感器测试系统

供应商:
北京东方中科集成科技股份有限公司
企业类型:
其他

产品简介

针对CCD、CMOS、image sensor、相机等图像影像传感器开发,适合多种规格的芯片和板卡性能测试,包括量子效率、光谱响应、系统增益、饱和照射光子数、最小可探测照射光子数、动态范围、暗电流、线性度和线性误差、光电响应不均匀度、暗信号不均匀度、CRA特性测量。

详细信息

针对COMS,CCD等影像传感器开发,适合多种规格的芯片传感器的量子效率测量。

1.可量测单一像素点的量子效率。
2.可量测全数组像素量子效率。
3.可产生各种所需单色光均匀光源,自动化校正各单色光、特定单色光入射光子数。
4.选配:可加配CRA载台,用以测试chief ray angle。
5.选配:软件可配合用户需求修改。
6.为全自动化设计,操作简易。

主要可测量的参数:
1.系统增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.饱和照射光子数
4.最小可探测照射光子数
5.动态范围(DR)
6.暗电流
7.线性度和线性误差Linear-Error
8.光电响应不均匀度PRNU
9.暗信号不均匀度 DSNU

系统优势:
QE-IS系统采用光焱科技研发多年的单色光均光系统具备下列多项优势:

    • 高均匀度
      可产生高均匀度的单色光光斑,在10x10mm2面积内均匀度可以>99%,在20x20mm2面积内仍可维持在>98%。与积分球系统相较,具有更佳的均匀度表现。

      *QE-IS均光面的光强分布图。

 

    • 高光强度、高讯噪比
      QE-IS高效率均光系统,以550nm单色光为例,在QE-IS系统光均面的光强度可>5 uW/cm2,相较于积分球系统的单色光强仅1x10-8 uW/cm2,两者差距千万倍,QE-IS系统量测具备的讯噪比,可精确测出感光组件的量子效率等相关光学特性。

 

    • 可作单像素QE量测
      因QE-IS单色光强度足够(5 uW/cm2@550nm),打在1 um的像素单元,产生的光电流约在20 pA,相较于积分球系统产生的单一像素光电流在sub-fA以下,QE-IS系统可直接用于量测数组感光组件上,任何单一像素的量子效率。

 

    • 可作全数组像素QE量测
      除单一像素量测,QE-IS可整合或是被整合于使用者自行开发的感光组件的数字电路讯号,以量测全数组像素QE。

 

  • 可作CRA量测
    QE-IS的均匀单色光发散角度< 5度,相较积分球的发散角度 >90度,搭配选配的旋转平台,即可量测CRA(Chief Ray Angle)特性。无需额外添购系统,方便整体的量测。
QE-IS与传统积分球系统的特性比较表

 

项目

QE-IS 光学系统

传统积分球系统

光均面均匀度
(10 mm x 10 mm)

> 99 %

> 99%

光均面位置

距均光系统出口300 mm

积分球开口处

光均面光强度

> 5 uW/cm2

1x10-8 uW/cm2 (1米积分球)

单像素QE量测

可(光强足够)

否(光强度过低)

发散角度 (半角)

< 5度

> 90度

可否量测CRA



产品规格
1.适用影像组件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.单色光光谱范围: 200~1100 nm (可扩充)
3.均匀光源规格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均匀度> 99 %
5.单色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波长步进分辨率:0.1 nm
7.波长FWHM 可做0.1~30 nm调整
8.CRA角度精度?1度


*QE 量测结果


*CRA 量测结果