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半导体工艺技术一直在不断缩小规模并朝着 3D 结构发展，这对薄膜沉积提出了挑战。Trias  EX-II TiN（氮化钛）是一种*的 300mm 单晶片沉积系统，适用于高速 ASFD ，可实现具有出色晶片内均匀性和高台阶覆盖特性的高质量薄膜形成。该系统采用优化的反应器设计和新的气体注入模块，即使在的半导体器件制造中也能实现高生产率，并用于各种应用，包括接触势垒、电容器电极、字线势垒和金属栅极的形成。三重奏EX-II TiN Plus 为复杂结构上的 TiN 保形金属沉积提供了出色的均匀性。此外，产品阵容中还新增了两款型号。Trias EX-I TiN Plus HT 专门用于高温 TiN 沉积，旨在通过降低杂质水平获得更低的接触电阻薄膜，而 Trias EX-II  TiON（氧氮化钛）提供低漏电流 TiON 薄膜沉积可用于 MIM 电容器电极的形成。所有这些型号都具有灵活的设计，最多可以集成四个腔室，并且单个腔室已经优化了清洁技术，以实现高生产率和低 CoC。