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非标定制 等离子体增强化学气相沉积 PECVD

供应商:
鹏城半导体技术(深圳)有限公司
企业类型:
生产厂家

产品简介

等离子体增强化学气相沉积 PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

详细信息

等离子体增强化学气相沉积 PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。


设备用途和功能特点

1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

3、配置尾气处理装置。

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设备安全性设计

1、电力系统的检测与保护

2、设置真空检测与报警保护功能

3、温度检测与报警保护

4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护


设备技术指标

类型参数
样片尺寸≤φ8英寸(或3片2英寸)
样片加热台加热温度室温~ 600℃±0.1℃
真空室极限真空≤7×10-5Pa
工作背景真空≤8×10-4Pa
设备总体漏放率停泵12小时后,真空度≤10Pa
样品、电极间距5mm ~ 50mm在线可调
工作控制压强10Pa ~ 1500Pa
气体控制回路根据工艺要求配置
单频电源的频率13.56MHz
双频电源的频率13.56MHz/400KHz


工作条件

类型参数
供电三相五线制 AC 380V
工作环境温度10℃~ 40℃
气体阀门供气压力0.5MPa ~ 0.7MPa
质量流量控制器输入压力0.05MPa ~ 0.2MPa
冷却水循环量0.6m3/h 水温18℃~ 25℃
设备总功率7kW
设备占地面积2.0m ~ 2.0m


等离子体增强化学气相沉积 PECVD及太阳能薄膜电池设备