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　　一、芯片清洗用超纯水设备-15T/H概述

　　芯片清洗用超纯水设备-15T/H的出水量是每小时15吨。芯片清洗用超纯水设备采用*的电渗析与离子交换相结合的技术，克服了单一技术的缺点，的结合了两种技术的优点，满足实际的生产需要。芯片清洗用超纯水设备是根据电子行业特殊要求而设计并制造的水处理设备，用户可以根据自己的实际需要，调整设备的出水量，满足用户的实际需求。芯片清洗行业用超纯水设备现已得到广泛的应用。

　　二、芯片清洗用超纯水设备-15T/H的原理

　　电去离子(EDI)系统主要是在直流电场的作用下，通过隔板的水中电介质离子发生定向移动，利用交换膜对离子的选择透过作用来对水质进行提纯的一种科学的水处理技术。电渗析器的一对电极之间，通常由阴膜，阳膜和隔板(甲、乙)多组交替排列，构成浓室和淡室(即阳离子可透过阳膜,阴离子可透过阴膜)。淡室水中阳离子向负极迁移透过阳膜，被浓室中的阴膜截留，水中阴离子向正极方向迁移阴膜，被浓室中的阳膜截留，这样通过淡室的水中离子数逐渐减少，成为淡水，而浓室的水中，由于浓室的阴阳离子不断涌进，电介质离子浓度不断升高，而成为浓水，从而达到淡化、提纯、浓缩或精制的目的。

　　三、芯片清洗用超纯水设备-15T/H优点

　　1、无需酸碱再生：在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生，而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。

　　2、连续、简单的操作：在混床中由于每次再生和水质量的变化，使操作过程变得复杂，而EDI的产水过程是稳定的连续的，产水水质是恒定的，没有复杂的操作程序，操作大大简便化。

　　3、降低了安装的要求：EDI系统与相当处理水量的混床相比，有较不的体积，它采用积木式结构，可依据场地的高度和灵活的构造。模块化的设计，使EDI在生产工作时能方便维护。

　　四、芯片清洗用超纯水设备的工艺流程

　　1、采用离子交换方式，其流程如下：

　　原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点。

　　2、采用两级反渗透方式，其流程如下：

　　原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→级反渗透 →PH调节→中间水箱→第二级反渗透(反渗透膜表面带正电荷)→纯化水箱→纯水泵→微孔过滤器→用水点。

　　3、采用EDI方式，其流程如下：

　　原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→一级反渗透机→中间水箱→中间水泵→EDI系统→微孔过滤器→用水点。

　　五、影响芯片清洗用超纯水设备运行的因素

　　(1)EDI进水电导率的影响。在相同的操作电流下，随着原水电导率的增加EDI对弱电解质的去除率减小，出水的电导率也增加。如果原水电导率低则离子的含量也低，而低浓度离子使得在淡室中树脂和膜的表面上形成的电动势梯度也大，导致水的解离程度增强，极限电流增大，产生的H+和OH-的数量较多，使填充在淡室中的阴、阳离子交换树脂的再生效果良好。

　　(2)工作电压-电流的影响。工作电流增大，产水水质不断变好。但如果在增至高点后再增加电流，由于水电离产生的H+和OH-离子量过多，除用于再生树脂外，大量富余离子充当载流离子导电，同时由于大量载流离子移动过程中发生积累和堵塞，甚至发生反扩散，结果使产水水质下降。

　　(3)浊度、污染指数(SDI)的影响。EDI组件产水通道内填充有离子交换树脂，过高的浊度、污染指数会使通道堵塞，造成系统压差上升，产水量下降。

　　(4)硬度的影响。如果EDI中进水的残存硬度太高，会导致浓缩水通道的膜表面结垢，浓水流量下降，产水电阻率下降。影响产水水质，严重时会堵塞组件浓水和极水流道，导致组件因内部发热而毁坏。

　　(5)TOC(总有机碳)的影响。进水中如果有机物含量过高，会造成树脂和选择透过性膜的有机污染，导致系统运行电压上升，产水水质下降。同时也容易在浓缩水通道形成有机胶体，堵塞通道。

　　(6)铁、锰等金属离子的影响。铁、锰等金属离子会造成树脂的“中毒”。树脂的金属“中毒”会造成EDI出水水质的迅速恶化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外变价属对离子交换树脂的氧化催化作用，会造成树脂的性损伤。

　　(7)进水中CO2的影响。进水中CO2生成的HCO3-是弱电解质，容易穿透离子交换树脂层而造成产水水质下降。

　　(8)总阴离子含量(TEA)的影响。高的TEA将会降低EDI产水电阻率，或需要提高EDI运行电流，而过高的运行电流会导致系统电流增大，水中的浓度增大，对膜的命不利。

　　另外，进水温度、pH值、SiO2以及氧化物亦对EDI系统运行有影响。