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离子源用于光学元件KDP晶体的溅射与刻蚀

供应商:
伯东贸易(深圳)有限公司
企业类型:
经销商

产品简介

离子源用于大口径光学元件 KDP 晶体的溅射与刻蚀

详细信息

为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾(KDP)晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光.

 

该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀.

 

其工作示意图如下:

 

用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP 380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推荐理由:

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 100 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>400 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

12 cm Φ

离子束

平行

流量

2-20 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

23.5 cm

直径

19.4 cm

中和器

灯丝

* 可选: 可调角度的支架

 

推荐理由:

使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀

 

运行结果:

1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内

2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕

3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的代理商.

 

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗小姐