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等离子气相沉积炉实验室等离子化学气相沉积设备

供应商:
西安太康生物科技有限公司
企业类型:
其他

产品简介

等离子气相沉积炉实验室等离子化学气相沉积设备详细介绍等离子气相沉积炉为洛阳西格马高温电炉生产的实验室等离子化学气相沉积设备,又称等离子增强化学气相沉积炉

详细信息

等离子气相沉积炉实验室等离子化学气相沉积设备

 

 

详细介绍

 

等离子气相沉积炉为洛阳西格马高温电炉生产的实验室等离子化学气相沉积设备,又称等离子增强化学气相沉积炉。PECVD等离子气相沉积炉可用于薄膜生长等工艺。
等离子气相沉积炉是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子字体化学活性很强,很容易发生反应,在基片沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应。该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。是高校、科研院所、工矿企业做等离子体增强CVD实验用的高温设备。
工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成离子体,而等离子体化学活性很强,很容易反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;


PECVD:SGM1200度滑膛管式+等离子射频电源+混气系统

PECVD:SGM1200度滑膛管式+低温预加热炉+等离子射频电源+混气系统
 

PECVD技术特点

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积的薄膜的应力大小

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高

PECVD特点

1、整机采用SUS304不锈钢材质,流线型外观,真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好。

2、炉子底部装有一对滑轨,移动平稳,可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却。炉盖可开启,可以实时观察加热的物料。

3、采用高纯石英管,高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数极小。

4、采用SUS304不锈钢快速法兰,通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空,一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷。

5、加热元件采用首钢或康奈尔发热丝,表面负荷高、经久耐用。设计温度1200℃,升温速率10℃/min。

6、可选配多路质量流量计,数字显示、气体流量自动控制;内置不锈钢混气箱,每路气体管路均配有逆止阀,可通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。

7、等离子射频电源:大射频功率达500W,输出频率13.56MHz±0.005%,输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。

技术参数

型号

SGM PECVD1200-2.5/20-2M-LV

SGM PECVD1200-5/20-4M-LV-P 

SGM PECVD1200-6/40-2M-HV 

SGM PECVD1200-8/40-4M-HV

设计温度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控温精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加热区直径(mm)

25 

 50

60 

80 

加热区长度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加热管长度(mm)

450 

450

1000 

1000 

恒温区长度(mm)

80 

80 

150 

150 

额定电压(V)

220 

220 

220 

220

额定功率(KVA)

1.2 

1.2 

射频电源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空机组

SGM PECVD-101 

SGM PECVD-101 

SGM PECVD-104 

SGM PECVD-104 

供气系统

SGM PECVD-2F 

SGM PECVD-4F

SGM PECVD-2M 

SGM PECVD-4M