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TRX20坩埚下降法晶体生长炉是常用的晶体生长方法之一。将原料置于圆柱型的坩埚中,缓慢下降通过1个具一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。在通过加热区域时,坩埚中的原料被熔融,当坩埚持续下降时,底部的温度先下降到熔点以下开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法生长的晶体尺寸大,操作和设备简便,生长晶体品种多,在晶体生长中被广泛运用。
序号 | 项 目 | 参 数 |
1 | 加热功率 | 5Kw |
2 | 加热温度 | 800°C |
3 | 控温精度 | ≤±1°C |
4 | 加热区直径 | Φ200 |
5 | 加热区长度 | 400 |
6 | 晶体直径 | 100mm |
7 | 坩埚轴行程 | ≥1000mm |
8 | 坩埚运动速度 | 慢速:0.05-20mm/h |
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| 快速:≥200mm/min |
9 | 外形尺寸(mm) | 1000×1000×3000 |
10 | 重量 | 约800kg |