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1、可测定包括痕量碳(C),磷(P),硫(S)元素,适用于多种金属基体,如:铁基,铝基,铜基,镍基,铬基,钛基,镁基,锌基,锡基和铅基。全谱技术覆盖了全元素分析范围,可根据客户需要选择通道元素;
2、分析速度快捷,20秒内测完所有通道的元素成分。针对不同的分析材料,通过设置预燃时间及标线,用短时间达到优分析效果;
3、光学系统采用真空恒温光室, 激发时产生的弧焰由透镜直接导入真空光室,实现光路直通,消除了光路损耗,提高检出限,测定结果准确,重现性及长期稳定性;
4、特殊的光室结构设计,使真空室容积更小;自动光路校准,光学系统自动进行谱线扫描,确保接收的正确性,免除繁琐的波峰扫描工作。仪器自动识别特定谱线,与原存储线进行对比,确定漂移位置,找出分析线当前的像素位置进行测定;
6、开放式的电极架设计,可以调整的样品夹,便于各种形状和尺寸的样品分析;
7、工作曲线采用国际标样,预做工作曲线,可根据需要延伸及扩展范围,每条曲线由多达几十块标样激发生成,自动扣除干扰;HEPS数字化固态光源,适应各种不同材料 ;
9、固态吸附阱,防止油气对光室的污染,提高长期运行稳定性;铜火花台底座,提高散热性及坚固性能;
10、合理的氩气气路设计,使样品激发时氩气冲洗时间缩短,为用户节省氩气;
11、采用钨材料电极,电极使用寿命更长,并设计了电极自吹扫功能,清洁电极更加容易;
12、高性能DSP及ARM处理器,具有高速数据采集及控制功能并自动实时监测光室温度、真空度、氩气压力、光源、激发室等模块的运行状况;
13、仪器与计算机之间采用以太网连接,抗干扰性能好,外部计算机升级与仪器配置无关,使仪器具有更好的适用性;
14、核心器件全部,保证了仪器品质。CCD/CMOS全谱光谱仪制造技术(数字化技术替代老式体积庞大笨重的光电倍增电子管模拟技术)、通道不受限制 ;无须变动增加硬件,基体范围内通道改变增加不需费用,同一样品不同的时间段分析,可获得良好的数据一致性 ;体积小、重量轻, 移动安装方便 ;高集成度、高可靠性、高稳定性 。
技术参数:
光学系统-光学结构 | 帕邢-龙格结构 |
光学系统-探测器 | CCD/CMOS |
气 体 | 真空 |
氩气流量 | 激发时3-5L/min 待机时无须流量 |
电 极 | 钨材喷射电极技术 |
吹 扫 | 点击自吹扫功能 |
补 偿 | 热变形自补偿设计 |
类 型 | HEPS数字化固态光源 |
频 率 | 100-1000Hz |
放电电流 | 1-80A |
特殊技术 | 放电参数优化设计 |
预 燃 | 高能预燃技术 |
数据采集系统-处理器 | ARM处理器,高速数据同步采集处理 |
数据采集系统-接口 | 基于DM9000A的以太数据传输 |
输 入 | 220VAC,50Hz |
功 率 | 分析时700W,待机状态40W |
工作温度 | 10-30℃(+-5℃/h) |
工作湿度 | 20-80% |
主机尺寸 | 800*750*500 mm |
重 量 | 120Kg |