EDI超纯水设备适用于集成电路芯片，单晶硅，显象管，液晶显示器，计算机硬盘，线路板等工艺所需的纯水和超纯水制备。其关键器件采用美国Electropure公司的EDI模块及HANNA公司的电导率表、电阻率表。其它主要配件则采用了国产优质材料及配件。这种配置方法既保证了设备*稳定的运行以节约了投资成本，进一步推动了EDI这种环保易用的水处理设备在中国的应用。本公司生产的PR-RO-EDI一体化设备采用全自动控制系统，操作简单，不需要酸碱再生，可连续生产；不需要处理废酸碱，安装条件简单，系统设计简单，运行成本低，水质稳定，安装维修简便。

EDI与传统混床的比较——                                                                              

抛光混床：采用高交换容量、充分再生、无化学析出的核子级树脂，去除纯水中残余的微量带电离子及弱电解质，使水质达到18MΩ·cm以上。

EDI模块进水条件

典型超纯水工艺流程图

应用领域：

超纯水常用于微电子工业、半导体工业、发电工业和实验室。

EDI模块结构特点

1、淡水隔板采用卫生级PE材料　       

2、EDI膜片采用进口均相膜和国产异相离子交换膜

3、采用进口EDI均粒树脂和国产EDI均粒树脂   

4、EDI电极板采用钛镀钌技术

5、压紧板采用具有硬性的合金铝轧铸而成。            

6、固定螺丝采用国标标准件

7、膜堆出厂zui高试压7bar不漏水                     

8、膜堆电阻低、功耗小

9、外观装饰板造型美观结实         

10、zui大膜堆处理水量3T/H，zui小模堆处理水量75L/H

11、纯水、浓水、极水通道设计合理，不易堵塞，水流分布均匀、*。

进水指标要求：

◎通常为单级反渗透或二级反渗透的渗透水

◎TEA（总可交换阴离子，以CaCO3计）：＜25ppm。

◎电导率：＜40μS/cm

◎ＰH：6.0～9.0。当总硬度低于0.1ppm时，EDI*工作的pH范围为8.0～9.0。

◎温度： 5～35℃。

◎进水压力：＜4bar（60psi）。

◎硬度：（以CaCO3计）：＜1.0ppm。

◎有机物（ TOC）：＜0.5ppm。

◎氧化剂：Cl₂＜0.05ppm，O₃＜0.02ppm。

◎变价金属： Fe＜0.01ppm，Mn＜0.02ppm。

◎H2S：＜0.01ppm。

◎二氧化硅：＜0.5ppm。

◎色度：＜5APHA。

◎二氧化碳的总量：＜10ppm

◎SDI 15min：＜1.0。