⒈ 闪蒸蒸镀法

将需要蒸发的合金材料制成细粒或粉末状，让其一颗一颗地落到高温的坩埚中，每个颗粒在瞬间*蒸发掉。这种方法也适用于三元、四元等多元合金的蒸镀，可以保证膜层组分与膜材合金相一致。但是，对闪蒸蒸镀法的蒸发速率的控制比较困难。

⒉多蒸发源蒸镀法

在制备由多种元素组成的合金薄膜时，原则上可以将这几种元素分别装入各自的蒸发源中，同时加热并分别控制蒸发源的温度，即独立控制各种元素的蒸发速率，以便保证沉积膜层的组分。这种方法要求各个蒸发源之间要屏蔽，防止蒸发源之间相互污染。

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反应蒸镀法是将活性气体引入镀膜室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源蒸发出来的膜材原子、分子发生化学反应，从而制备所需要的化合物薄膜的一种方法。粒子间的化学反应可以在空间（即气相状态）也可能在基片上进行，或者两者兼有，不过，一般认为在基片上进行化学反应的几率较大。该反应与蒸发温度、蒸发速度、反应气体的分压及基片的温度等因素有关。作为蒸发源的膜材可以是金属、合金或化合物。反应蒸镀法主要用于制备高熔点的绝缘化合物薄膜。

例如，在蒸发Ti时加入C2H2气体，可获得硬质膜TiC，其反应式为

2Ti+ C2H2→2TiC+H2

而在蒸发Ti时加入N2,可获得硬质膜TiN,其反应式为

2Ti+N2→2TiN

又如，蒸发SnO2-In2O3混合物时加入一定量的O2，可获得ITO透明导电膜。下表列举了用反应蒸镀法制备化合物薄膜的工艺条件。

<!--[if !supportLists]-->⒋ <!--[endif]-->三温度蒸镀法

在制备化合物半导体薄膜时，基片温度对膜层的结构和物理性能的影响是很明显的，因此在制备二元化合物半导体单晶膜时，必须控制基片温度。在这种情况下，将两种膜材分别装入各自的蒸发源内，分别独立的控制两个蒸发源和一个基片的温度（共计三个温度）进行蒸发，故称三温度蒸镀法。这种方法主要用于制备GaAs等Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体单晶薄膜。