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一、产品名称概述:纳米银填充导电浆料研磨分散机,纳米银填充导电浆料分散机,纳米银导电浆料研磨分散机,纳米银导电浆料分散机
二、纳米银填充导电浆料的发展
导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化研究。其中,纳米银填充导电浆料备受关注。一般认为纳米银填充到基体中,由于粒子间的接触点面积小,填料粒子数目增多导致接触电阻增加。只有当纳米银间距离在一定范围内时,由于隧道效应等使导电性增强,这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关。
导电浆料一般由2-3个基体部分组成,即导电相(金、银、铜等)、有机载体(有机树脂和溶剂)和粘结剂(硅酸盐玻璃等)。
三、纳米银导电浆料简介
银具有较高的导电率、优异的物理化学性能、可接受的价格及其氧化物也具有导电性能等特点广泛用于导电填料。目前导电银浆中的导电相主要是微米或亚微米银粉,这些浆料已不能满足低温烧结和多层布线等新技术的要求。
由于纳米银的表面效应、小尺寸效应等,以纳米银作为导电填料可以提高导电和导热性;减少银用量,降低生产成本;降低固化温度,使银浆可以应用在PET模块、柔性基板等;改善导电胶剪切强度等。除具有上述明显的优点外,也存在诸如浆料分散稳定性较差,放置后极易出现纳米银的团聚和沉降,导电性能不稳定和适用期短等问题。
四、纳米银填充导电浆料的制备方法
纳米银填充导电浆料的制备方法与微米银浆料的制备方法相似,主要是将市售或自制的纳米银以干粉或液态形式,单一或与微米银片混合,通过机械搅拌、高速剪切、超声分散、高能球磨等方式分散到有机载体中。目前较为合适的为高速剪切的方式,主要优势为浆料适用性高、产量高、效率高。特别*SID希德机械XMD2000系列研磨分散机,转速高达18000rpm,先研磨后分散,解决团聚问题,还原纳米粒径,得到多家厂家的认可和信任。
五、XMD2000系列研磨分散机特点
1、接触过SID上海思峻的人都知道,SID胶体磨和SID分散机在行业就是较的设备,SID胶体磨和国内胶体磨相比、SID分散机和国内分散机相比都是存在巨大优势的,而SID研磨分散机又是将二者结合的设备,处理效果,不言而喻。SGN研磨分散机转速可达14000rpm,是传统分散机的4-5倍。
2、国内分散机的结构大都都是直连电机,分散机的主轴和电机直连,电机就决定了主轴的转速。而进口分散机采用分体式结构,通过皮带进行变速,国产设备由于结构的设计缺失、机械密封技术的不足的原因,以及改进后成本大幅度的提高问题,一直无法实现高速分散机的自主研发和生产。
3、SID高速剪切研磨分散机有很高的线速度,以及一级磨头,特殊上深下浅的三层磨头结构,一次处理即可满足细化要求。一级刀头形状,可以把相对大块的物料进行初步粉碎,以便能顺利通过更细的两级进行细微化研磨。磨头齿列深度为从开始的 2.7mm 到末端的0.7mm,除了更精密之外,上深下浅的齿列结构,相较沟槽是直线,同级的沟槽深度一样的磨头,可以保证物料从上往下一直在进行研磨。虽和其它产品一样磨头采用三层磨齿,但他们只能在一级磨头到另外一级磨头形成研磨效果。二级分散盘,无论是在分散盘的结构、还是定转子的间隙都有比其他分散盘要精密的多。
六、纳米银导电浆料研磨分散机参数表
型号 | 流量L/H | 转速rpm | 线速度m/s | 功率kw | 入/出口连接DN |
XMDD2000/4 | 300 | 18000 | 51 | 4 | DN25/DN15 |
XMD2000/5 | 1000 | 13500 | 51 | 11 | DN40/DN32 |
XMD2000/10 | 2000 | 9260 | 51 | 22 | DN80/DN65 |
XMD2000/20 | 5000 | 3664 | 51 | 37 | DN80/DN65 |
XMD2000/30 | 8000 | 1825 | 51 | 55 | DN150/DN125 |
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