1-WE2107-1仪表/控制器HBM弹性模量稍稍增大，1-CABA2/100电缆HBM受拉时弹性模量稍微减小，结果使得面积效应影响更加严重。虽然弹性模量的这种变化很小，在惠斯通电桥电路的输入端串联一个对温度敏感的补偿但从现代称重传感器的准确度等级来说，其影响仍然是显著的。即使不考虑弹性模量随应力的变化，泊松比效应影响这是由于弹性元件受载后。

1-WE2111
1-WE2111-AC
1-WE2111-ZCC
1-WE2111-R2
1-WE2111-R4
1-WE2111-ZS

HBM称重传感器1-PW18C3/H1/75KG

HBM称重传感器附件1-CABA1/20钢质桥式称重传感器适用于轨道衡、汽车衡、天车秤等，柱式称重传感器适用于汽车衡、1-WE2108M仪表/控制器HBM动态轨道衡、大吨位料斗秤等。

1-P3MB/50BAR
1-P3MB/100BAR
1-P3MB/200BAR
1-WE2107-1仪表/控制器HBM
1-P3MB/3000BAR
1-SC232/422B仪表/控制器HBM在季节的转角中张望
1-WE2111仪表/控制器HBM留下一地秋霜
零落的灵魂无处躲藏

1-WE2107M-SS-1仪表/控制器HBM
 1-CABA2/100电缆HBM

1-WE2108仪表/控制器HBM枫叶般黄了又黄
沿途的风景
空荡荡的一路彷徨
拾一场文字的诗心
在悠悠岁月中含情怒放

一、扭矩传感器的特点：
1.既可以测量静止扭矩，也可以测量旋转转矩;
2.既可以测量静态扭矩，也可以测量动态扭矩；
3.检测精度高，稳定性好；抗干扰性强;
4.体积小，重量轻，多种安装结构，易于安装使用；
5.不需反复调零即可连续测量正反转扭矩;

1-P2VA2/200BAR
1-P2VA2/500BAR
1-P2VA2/1000BAR
1-P2VA2/2000BAR
1-P2VA2/3000BAR
1-P2VA2/5000BAR

       压力传感器所用的元件材料是具有压阻效应的单晶硅、扩散掺杂硅和多晶硅。根据晶体不受定向应力时，电导率是同性的，只有受定向应力时才表现出各向异性，由于应力能引起能带的变化，能谷能量移动，导致电阻率的变化，于是就有电阻的变化，从而产生压阻效应。 单晶硅效应包括n型和p型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件，力求使压力传感器具有良好的性能。多晶硅在传感器中有广泛的用途，可作为微结构和填充材料、敏感材料.

1-TN/200NM
1-TN/500NM

        在承受等量拉伸和压缩应力时其容积一般是相等的，即应变区面积不发生变化，因此固有线性好。对于固有线性差的称重传感器必须进行线性补偿，有两类线性补偿方法：*类是在称重传感器上采取补偿措施；第二类是在称重仪表上采取补偿措施。圆柱、圆筒式称重传感器和其它性能指标都好
1-TN/1KNM
1-TN/2KNM
1-TN/5KNM
       1-WE2111-ZS仪表/控制器HBM 零点温度补偿所用的电阻丝或金属箔电阻片，实际上是一种热敏电阻元件，要求温度系数大、热响应快；在称重传感器使用温度范围内具有良好的线性和电阻温度特性，国内外多选用电阻温度系数较大的铜、镍和钴－镍合金作为零点温度补偿电阻。铜的电阻温度系数α＝0.0041/℃，镍 α＝0.0068/℃，虽然镍的电阻温度系数较大，分散度也较大，而且焊接性能比铜差，所以铜电阻在零点温度补偿工艺中的应 用 为 广 泛 。

1-P3TCP/500BAR
1-P3TCP/750BAR
1-P3TCP/1000BAR
1-P3TCP/2000BAR
1-P3TCP/2500BAR
1-TTS/200NM
1-TTS/500NM
1-TTS/1000NM

6.没有导电环等磨损件，可以高转速长时间运行；
7.传感器输出高电平频率信号可直接送计算机处理；
8.测量弹性体强度大可承受100%的过载。