科研实验氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g/cm³，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪；也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。

产品参数
中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃
分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3
纯度 99.99%