KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
时间：2023-07-03 阅读：169
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 生产过程中需在白玻璃上进行镀膜. 由于国产镀膜设备在射频和光控性能方面的限制, 镀制过程易出现温漂现象, 材料折射率不高, 品质无法保证; 且工艺上需要加热, 这大大增加了镀膜时间. 经过伯东推荐选用国产镀膜机加装美国进口 KRi 射频离子源进行辅助镀膜, 保证工艺效果, 提高生产效率.
红外截止滤光片是一种用于过滤红外波段的滤镜, IRCF 利用精密光学镀膜技术在白玻璃, 蓝玻璃或树脂片等光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 其可通过实现近红外光区截止以消除红外光对成像的影响, 是高性能摄像头的组件, 工艺上对所用的镀膜设备有着高的要求.
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
应用领域: 光学镜头
薄膜工艺: IR-CUT
产品类别: 红外截止滤光片
应用方向: 国产镀膜机加装 KRi 射频离子源进行离子清洗和辅助沉积, 实现 IR-CUT 单面镀膜
美国 KRi 考夫曼品牌射频离子源通过辅助镀膜在白玻璃 IRCF 上进行工艺升级, 解决温漂问题, 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.
美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数：
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生