深圳海纳光学专业代理以色列DUMA大功率激光光束质量分析仪。近年来大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理，都无法承受大功率激光的直接接收，因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高，仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围，这使得大功率激光无法实现直接检测，这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器，哪怕使用衰减片（ND）仍无法满足，甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用，这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。

以色列DUMA公司近期研制出一款风冷采样器，通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率，相比于衰减片（ND）而言，效率更高，且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配，出厂即完成装配，可以满足用户对于高功率激光的检测，对于连续激光，可承受4KW的功率。

我司为用户提供两种系列大功率激光光束质量分析仪，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光，其检测原理为刀口式测量原理，仅可检测连续激光（CW），M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然，为了满足用户对于脉冲激光（Pulsed）的检测需求，我们也提供CMOS传感器版本（-U3型号）。

以上机型均可安装风冷采样器，SAM-HP-M。需要注意的是，在测量大功率激光时，连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后，风冷采样器处于已装配状态，原则上讲我们不提倡用户将其拆卸，因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题，这会导致拆卸后无法安装的问题存在，基于更小的灵敏度，仪器哪怕装载了风冷采样器，对于小功率激光仍具备一定的探测能力。

大功率光束分析仪的核心部件——风冷采样器规格参数：

型号 SAM3-HP

光谱范围 250-2000nm

采样系数 1.1×10-5

外型尺寸 40 mm dia. × 31 mm length

通光孔径 8 × 8 mm

从输入到采样表面的zui小光路 25mm（视具体型号而定）

LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数：

LAM-BA LAM-U3

传感器类型 硅基，使用刀口法测量技术 CMOS

刀口数 7 -

光谱范围： 硅：350-1100nm 350-1310nm

功率范围@900/1070 nm 高达4KW（需要衰减片和高压空气风冷，可能会有一些限制） 连续激光1-2500W，脉冲激光1-1000W

光斑尺寸范围 35微米至8毫米 75微米-6毫米

分辨率（H × V像素） 根据光束大小自适应 1920 ×1200

传感器有效尺寸 9 × 9 11.34 × 7.13

工作距离 49mm 从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米

zui高BPP zui大输入角度-25deg zui大输入角度-25deg

zui大功率密度 1,000,000 W/cm2 1,000,000 W/cm2

光束宽度精度 ± 1.5 ％ ± 1.5 ％

功率精度 ± 5 ％ ± 5 ％

工作温度 0℃-35℃ 0℃-35℃

M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格：

-输入光束

M2Beam M2Beam U3

技术工艺 刀口式扫描原理，应用Si探测器，InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 USB 3.0接口

CMOS 2.4MP

内置过滤论

光谱响应（nm） SI传感器：350-1100

InGaAs传感器：800-1800

Enhanced InGaAs 传感器：800-2700 VIS-NIR：350-1600

UV-NIR：220-1350

激光功率范围 Si：100 μW-1 W（带衰减片）

InGaAs&UV：100 μW-5 mW

HP：4 kW以下 10μW-100mW，内置滤光轮

HP：4 kW以下

刀口数 7 —

光束尺寸 带透镜高达25mm直径（Si&UV版本）

束腰到透镜距离 2.0~2.5米*

zui小2米

-扫描装配附件

材质 铝

透镜焦距 300mm（在632.6nm时）

透镜直径 25mm

扫描次数 140

zui小步进尺寸 100μm

扫描长度 280mm

-整机

重量 2.5kg

尺寸 100×173×415 mm

托架 M6或1/4“固定

机械调整 水平角：±1.5°

垂直角：±1.5°

电缆长度 2.5m

高功率光束分析仪订购型号及描述：

LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter

LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,

M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)

M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)

M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)

M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based

M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.

SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams