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Optogama提供4Lasers品牌的光折变晶体 BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中,当相干光相互干扰时观察到,光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图,也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。
硅酸铋(Bi)12SiO20,bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围:空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体,其孔径可达3英寸。
铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe:LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。Fe:LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长,尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是,Fe:Linbo3晶体操作方便,成本低,适合批量生产。
SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的,被Ce,Cr,Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体,采用改进的Stepanov法生长,线性尺寸可达40 mm。
锗酸铋(Bi12GeO20,BGO)晶体是具有低暗电导率的高效光电导体,可以积累大量光致空间电荷。
光折变晶体 BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶体
硅酸铋晶体主要特点:
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
BSO晶体主要应用:
-空间光调制器
-光开关
-相位共轭混合器。
BSO晶体的技术特性:
化学公式 | Bi12SiO20 |
晶体结构 | 立方体,点编组23 |
晶格参数 | 10.10 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范围 | 0.45-6μm |
折射率 | 2.5 |
光学活性 | 42deg/mm |
电光系数 | r41 = 5 pm/V |
介电常数(低频) | 56 |
暗电阻 | 1014 Ohm cm |
BSO晶体的产品规格:
透明孔径 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度误差 | <30 arcsec |
保护槽 | <0.3 mm at 45° |
表面质量 | 40-20 S-D |
波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
涂层 | 无涂层 |
硅酸铋晶体产品型号
SKU | 面尺寸 | 厚度 | 定向 | 价格(RMB) |
1558 | 30×30毫米 | 1.0毫米 | [110] | 5500 |
6880 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [110] | 4500 |
6881 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [100] | 4500 |
6882 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 6500 |
6883 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 6500 |
6884 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 4800 |
6885 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 4900 |
9095 | 30×30毫米 | 1.5毫米 | [110] | 5600 |
铌酸锂晶体主要特点:
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
LiNbO3晶体的主要应用:
-空间光调制器
-光开关
-全息记录
-光波导
LiNbO3晶体技术特性:
化学公式 | Fe:LiNbO3 |
晶体结构 | 三角形,3m |
密度 | 4.64克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范围 | 0.35-5.5μm |
折射率@0,63μm | ne = 2.20, no = 2,29 |
电光系数 | r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
介电常数 | e11 = 85,e33 = 30 |
铌酸锂晶体产品规格:
Fe2O3 | 0.1 mol. %,0.05 mol. %,0.03 mol. %,0.02 mol. % |
定向 | 90°切割(X-切割,Y-切割) |
透明孔径 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度误差 | <3 arcmin |
保护槽 | <0.3 mm at 45° |
表面质量 | 20-10 S-D |
波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
涂层 | 无,可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层 |
电极 | 无,可根据要求提供 |
铌酸锂晶体产品型号:
SKU | 面尺寸 | 长度 | 掺杂水平 | 价格(RMB) |
4052 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,05%Fe2O3 | 请求 |
6457 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,02%Fe2O3 | 请求 |
6458 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,03%Fe2O3 | 请求 |
7005 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,1%Fe2O3 | 请求 |
7006 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,02%Fe2O3 | 4000 |
7007 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,03%Fe2O3 | 4000 |
7008 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,05%Fe2O3 | 4000 |
7009 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,1%Fe2O3 | 4000 |
7010 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,02%Fe2O3 | 请求 |
7011 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,03%Fe2O3 | 请求 |
7012 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,05%Fe2O3 | 请求 |
7013 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,1%Fe2O3 | 请求 |
SBN晶体的主要特点:
-Ce,Cr,Co,Fe纯掺杂
-有效相位共轭
-定制尺寸,掺杂水平,无极化,减反射涂层和没有电极晶体可根据要求
SBN晶体的主要应用:
-光学信息记录
-热释电探测器
-自泵浦自共轭镜
-光学相关器
SBN晶体的技术特性:
构图 | SBN:61 | SBN:75 |
晶体结构 | 四边形,4毫米 | 四边形,4毫米 |
晶格参数 | a = 12,46 Å, c = 3,946 Å | a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
密度 | 5,4 g/cm3 | 5,4 g/cm3 |
Mohs硬度 | 5.5 | 5.5 |
熔化温度 | 1480°C | 1480°C |
居里温度 | 75°C | 56℃ |
透光度范围 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
折射率@633 nm | no = 2.3103,ne = 2.2817 | no = 2.3117,ne = 2.2987 |
Δn@633 nm | -0.0286 | -0.0130 |
传动 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
半波电压(λ/2) | 240 V | 60V |
介电常数(T=293 K) | 900 | 340 |
电光系数 | R13=45 pm/V,R33=250 pm/V | R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
热释电系数 | 0.065μC×cm-2×K-1 | 0.28μC×cm-2×K-1 |
介电常数 | 880 | 3400 |
SBN晶体的产品规格:
定向 | 沿四方轴的短边 |
波林 | 极化 |
电极 | 碳水电极 |
透明孔径 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度误差 | <30 arcsec |
保护槽 | <0.1 mm at 45° |
表面质量 | 20-10 S-D通过透明光圈,60-40 S-D其他表面 |
表面平整度 | <λ/4@6328 nm |
涂层 | 无涂层 |
SBN晶体的产品型号:
SKU | 材料 | 面尺寸 | 长度 | 掺杂 | 价格(RMB) |
6940 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 15000 |
6941 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 18500 |
6942 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 24000 |
6943 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 30000 |
6944 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 15000 |
6945 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 18800 |
6946 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 22000 |
6947 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 30000 |
6948 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 15000 |
6949 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 18500 |
6950 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 24000 |
6951 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 30000 |
73 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | 未掺杂 | 15000 |
74 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | 未掺杂 | 18500 |
75 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | 未掺杂 | 24000 |
76 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | 未掺杂 | 30000 |
BGO晶体的主要特点:
-高电光系数(r41=3,5 pm/v)
-低暗电导
-大尺寸元件或晶片可达3“
-可根据要求定制
BGO晶体的主要应用:
-空间光调制器
-光开关
-光学相关器
BGO晶体的技术特性:
化学公式 | Bi12GeO20 |
晶体结构 | 立方体,点编组23 |
晶格参数 | 10.15 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
传输范围 | 0.45-7米 |
折射率@0.63m | 2,55 |
光学活性@500 nm | 41.5度/毫米 |
电光系数r41 | 3.5 pm/V |
介电常数 | 40 |
暗电阻 | 1014 Ohm cm |
BGO晶体的产品规格:
透明孔径 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度误差 | <30 arcsec |
保护槽 | <0.3 mm at 45° |
表面质量 | 40-20 S-D |
波前畸变 | <λ/4@6328 nm |
涂层 | 无涂层 |
BGO晶体的产品型号:
SKU | 面尺寸 | 长度 | 定向 | 价格(RMB) |
6868 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 5600 |
6871 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 5600 |
6872 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 8500 |
6873 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 8500 |
6874 | 20x20毫米 | 1毫米 | [110] | 5000 |
6875 | 20x20毫米 | 1毫米 | [100] | 5000 |
6876 | 30×30毫米 | 1毫米 | [110],边与<001>平面±2deg平行 | 6000 |
6877 | 30×30毫米 | 1,5毫米 | [110] | 6000 |