小功率半导体激光器（信息型激光器），主要用于信息技术领域，例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈和动态单模激光器（DFB-LD）、窄线宽可调谐激光器、用于光盘等信息处理领域的可见光波长激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。这些器件的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。

　　大功率半导体激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、生物医疗等领域。

　　半导体激光器主要参数：

　　波长nm：半导体激光器工作波长，例如405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm。

　　阈值电流Ith：激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数十毫安。

工作电流Iop：激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。

　　垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度，一般在15?~40?左右。

水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6?~ 10?左右。

　　监控电流Im ：激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。

　　半导体激光器主要向两个方向发展：一类是以传递信息为主的信息型激光器；另一类是以提高光功率为主的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W。未来，半导体激光器的发展趋势主要在高速宽激光器、大功率激光器、短波长激光器、中红外激光器等方面。