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面议湿法清洗
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、日本HD光电子设备谐波CSG-45-160-2UH 有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等.
3.1.1 RCA清洗法
最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，日本HD光电子设备谐波CSG-45-160-2UH，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以日本HD光电子设备谐波CSG-45-160-2UH大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。
