1800度碳化硅真空烧结炉 热处理炉 设备用途

本系列真空炉为周期作业式，采用炉盖升降、石墨管为发热元件，适用于金属材料，无机非金属材料，在真空或保护气氛下进行烧结适用，也可用于光学材料的烧结提纯样品测试分析等适用。

1800度碳化硅真空烧结炉 热处理炉方案图（仅供参考，以实际设计为准）

3. 主要技术参数

3.1 电源：三相 380V 50Hz

3.2 加热功率：70Kw ±10%（两相380v）

3.3 温度：1800℃

3.4 额定温度：0~1750℃

3.4 工作区尺寸：Φ300*300（D*H，mm）（内可放置对应尺寸的坩埚）

3.5 控温区数：一区

3.6 控温方式：钨莱热偶程序控温

3.7 控温精度：±1℃

3.8 冷态极限真空度：6.7*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）

3.9 充气气氛：惰性气体

3.10 充气压力：≤0.05MPa

    控制加热系统有可控硅调压器+低压高流大功率变压器+测温装置，组成闭环控制系统，温度仪表采用程序仪表带PID自动调节功能，带自整定自我调整能力。稳定可靠，控制精度高。设备整体配有操作模拟屏，控制系统的操作都集中在上面，直观明了，操作简单可靠。控制系统集中安放在炉架的一侧箱体内，整结大方，维修方便，所有器件均采用施耐德，西门子等，保证使用安全。控制箱柜上都有安全贴，安装接线标准化制作。

1. 设备用途

本系列真空炉为周期作业式，采用炉盖升降、石墨管为发热元件，适用于金属材料，无机非金属材料，在真空或保护气氛下进行烧结适用，也可用于光学材料的烧结提纯样品测试分析等适用。

方案图（仅供参考，以实际设计为准）

3.主要技术参数

3.1 电源：三相 380V 50Hz

3.2 加热功率：70Kw ±10%（两相380v）

3.3 温度：1800℃

3.4 额定温度：0~1750℃

3.4 工作区尺寸：Φ300*300（D*H，mm）（内可放置对应尺寸的坩埚）

3.5 控温区数：一区

3.6 控温方式：钨莱热偶程序控温

3.7 控温精度：±1℃

3.8 冷态极限真空度：6.7*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）

3.9 充气气氛：惰性气体

3.10 充气压力：≤0.05MPa

    控制加热系统有可控硅调压器+低压高流大功率变压器+测温装置，组成闭环控制系统，温度仪表采用程序仪表带PID自动调节功能，带自整定自我调整能力。稳定可靠，控制精度高。设备整体配有操作模拟屏，控制系统的操作都集中在上面，直观明了，操作简单可靠。控制系统集中安放在炉架的一侧箱体内，整结大方，维修方便，所有器件均采用施耐德，西门子等，保证使用安全。控制箱柜上都有安全贴，安装接线标准化制作。