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产品简介

制造商产品型号：FCB199N65S3制造商：ONSemiconductor描述：MOSFETN-CH650V14AD2PAK系列：晶体管-FET

制造商产品型号：FCB199N65S3

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：SuperFET? III

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）

驱动电压（RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（值）：199 毫欧 @ 7A，10V

不同Id时Vgs(th)（值）：4.5V @ 1.4mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（值）：30nC @ 10V

Vgs（值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（值）：1225pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（值）：98W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：D2PAK（TO-263）

买IC网自营直供，FCB199N65S3均从电子元器件代理商采购，确保原装！