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一、概述:
这款配置的高真空CVD系统集快速红外加热炉,2通道气路系统和低真空系统组成。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。本套系统用于CVD退火,也可以应用于于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
二、主要技术参数
1200加热炉 | 电压 | AC380V 50/60Hz |
功率 | 24KW | |
加热区长 | 400mm | |
使用温度 | 1100℃ | |
工作温度 | ≤1000℃ | |
升温速率: | ≤600℃/min | |
温控系统 | PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器, | |
恒温精度 | ±5 | |
石英管 | Φ50/60/80/100*1400mm | |
两路质量流量控制系统 | 电压 | 185~24V/50Hz |
输出功率: | 18W | |
流量计标准量程 | 300SCCM | |
工作温度: | 5~45 oC | |
工作压差: | 0.1~0.5 MPa | |
压力: | 3Mpa | |
准确度: | ±1.5% FS | |
真空系统 | 1.采用双极旋片真空泵,真空度可达5×10-1 Torr不锈钢充油真空压力表,良好的抗震性 2.安装过滤器 | |
法兰及支撑 | 304不锈钢快速水冷法兰,长期水冷无腐蚀一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷可调节的法兰支撑,平衡炉管的受力支撑 包含进气、出气、真空抽口针阀,KF密封圈及卡箍组合,4个密封硅胶圈等 | |
可选配件 | 混气系统,中、高真空系统,各种刚玉坩埚,石英管,计算机控制软件,无纸记录仪,氧含量分析仪,冷却水循环机等。 |