原子层沉积（atomic layer deposition，ald），zui初称为原子层外延（atomic layer epitaxy，ale），也称为原子层化学气相沉积（atomic layer chemical vapor deposition，alcvd）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。
目前可以沉积的材料包括： ；氧化物, ；氮化物, ；氟化物,金属,碳化物,复合结构,硫化物,纳米薄层等
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ald的应用包括：
半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光tfel元件，集成电路中的互连种子层，dram和mram中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（mim）电容器涂层。
纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（mems）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，znse涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。
