全波长（可见光）椭偏仪-安合盟（天津）科技发展有限公司手机版

产品简介

系统规格：波长范围：350~850nm入射角：30°~ 90°解析度：±0.01°待测样品尺寸：up to 200mm精度：1200A SiO2标准片厚度：（Tks）：±6A折射率（N）：±0.01 at 632.8nm重复性：1200A SiO2标准片厚度(Tks)：±2.5A折射率(N)：±0.005 at 632.8nm (5 times)尺寸：140cm×50cm×60cm

详细介绍

系统规格：
波长范围：350~850nm

入射角：30°~ 90°

解析度：±0.01°

待测样品尺寸：up to 200mm

精度：1200A SiO₂标准片

厚度：（Tks）：±6A

折射率（N）：±0.01 at 632.8nm

重复性：1200A SiO₂标准片

厚度（Tks）：±2.5A

折射率（N）：±0.005 at 632.8nm （5 times）

尺寸：140cm×50cm×60cm

应用：

太阳能电池

SiNx减反膜工艺

TiO₂减反膜工艺

复合SiNx减反膜工艺

SiO₂钝化工艺

复合SiNx/ SiO₂减反膜工艺

SiO₂掩膜工艺

TFT-LCD

SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…

SEMI

High-k：AL2O3，SiO₂，Si3N4，SiNx…

LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…

OLED

AlQ3，CuPc…

软件特征：

整合量测、分析、计算操作模式安全化同步原始数据呈现

硬件特征：

高稳定性氙灯光源

高解析度光栅式单色仪

波长范围：350~850nm

波长解析度：1nm，精度：0.5nm

三格林泰勒棱镜偏振系统

波长：260~1800nm

消化比：＞10⁵

发散角：≤3mrad

真空吸附载物台

自动连续入射角（零度校正）

高分辨率光电倍增管探测器

波长范围：185nm~900nm

暗电流：≤25 nA

自动电压增益控制系统（Vmax：1100v）