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猎户座 3100S 空气分子污染物监测系统 痕量级AMC空气分子污染物 Ma Mb(NH3,HCL,HF等）监测---半导体行业应用 光刻工艺洁净室内痕量级NH3,HCL,HF气体的超高灵敏度、实时测量 实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响，对很多微量污染物极为敏感，比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来*的危害，尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展，已经减少了长时间持续实时监测，而实际上空气分子污染（AMC）的实时测量对产品质量的好坏至关重要。 猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术连续分析仪器，将增加半导体器件阻抗*性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。 ETG HMI（人机交互界面）软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析，软件专门针对半导体行业开发，对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染（AMC）提供有力的支持，软件集成了多点采样（MS）控制功能，具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。 猎户座 3100S 系统: 完善的空气分子污染（AMC）监测 实时监测空气分子污染（AMC）对于半导体生产过程极为重要。 快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。 深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸类等浓度测量，当这些气体与化学放大光刻胶反生反应时，将深深的影响半导体器件质量。猎户座 3100S 空气分子污染物监测系统 传统古老的方法多采用间接测量分析方法。包括撞击滤尘器、离子色谱、化学荧光法，这些方法分析速度太慢，操作过程太复杂，昂贵并且测量结果不精确。 ETG采用被证明的CEAS（腔增强吸收光谱）技术解决AMC（空气分子污染物）监测难题，可快速测量痕量级NH3、HCL、HF，采用脉冲荧光法测量SO2，采用增强型GC-FID测量VOCs。 空气分子污染物监测系统测量痕量级NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性，是半导体行业洁净室AMC（空气分子污染）测量的有力工具。 猎户座 3100S也集成了多点监测系统，可依序将气体抽送到分析仪或传感器，并读出测量结果。猎户座 3100S内嵌的报警、报告、分析软件是由多年半导体行业经验的工程师集体开发。 猎户座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模拟模块可以输出来自4~6台分析仪或传感器的数据。 每台分析仪配有内置计算机（Linux OS），可进行数据存储和数据输出，还支持远程网络控制，通过互联网可以连接ETG公司总部或者当地经销商服务商，进行操作或者诊断。 使用者可以通过网络浏览器比如IE、Chrome等世界任意可以联网的地方进行操作，远程操作可实现多级管理权限控制和操作。 猎户座 3100S 系统配置 增强灵敏度 仪器基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术，极简使用、便捷操作，所有部件（包括内置真空泵、键盘、鼠标、显示器等）几分钟内可开始记录数据，其他大气中的水汽、CO2、O2、甲烷等不会对HCL、HF、NH3等测量构成交叉干扰。内置计算机可以存储大量数据到内置硬盘上，可同过数字接口或者模拟接口传输数据，可通过互联网远程存储或记录数据，高质量的数据库，适合于苛刻的半导体痕量级气体应用。 检测限/精度 (1-σ) : HCl 0.1 ppb HF 0.1 ppb NH3 < 0.1 ppb 快速响应时间 每个通道5秒 系统即插即用 系统可在洁净间几分钟内简单操作完成 低成本 因CEAS（腔增强吸收光谱）系统不需要特别的维护保养和备品备件，所以很好的降低了使用者成本。 CEAS（腔增强吸收光谱）---原理 基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术的仪器原理图，使用近红外波段光进行高灵敏度吸收测量，测量腔室由一组高反射率多次反射镜片组成的柱状体构成，激光束经过固态校准器（FSR=2.00GHz）时会测量得到相对激光波长。为了保证清晰度，忽略了原本照射到左侧测量单元腔镜外的光束。
EP增强型版本集成了压力传感器和内部温度控制器，具有超稳定性测量腔室，防止温度漂移、压力变化等造成的误差。 CEAS（腔增强吸收光谱）相比于*代的CRDS（腔衰荡光谱）技术，有许多已被证明的优势。简而言之，激光束不需要共振耦合进入测量腔室（例如光束不需要严格对准）。ETG分析仪器和系统具有天生安装简单、机械牢固、防护结实等特点。 猎户座 3100S的特性
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