快速退火炉系统是一个简单稳定的热处理系统，适合于广泛大尺寸为直径2~12英寸的基片材料和结构的快速热低温退火(RTA)，（如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等）。快速退火炉配有一个管状石英反应室或不锈钢腔体，因此可兼容处理大长度为300毫米的3 D样片。

法国RTP系列的快速退火炉由法国Semco公司专业开发制造，法国工艺保障。温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到300mm，大温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

基于PID处理控制器的Eurotherm可以存储20套程序，每套程序可以支持高达100个步骤的设定，带USB2.0的接口。包含UniSoft 软件，与微软Windows操作系统兼容。通过该软件，通过链接电脑可以非常方便地实现程序编辑以及数据记录。

技术规格：

- 大温度：1200摄氏度；

- 升温速率：1~200摄氏度/秒；

- 降温速度：1~200摄氏度/分钟；

- 温控均匀性：±1℃设定温度；

- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部区域加热；

- 灯管数量及功率：6支/20千瓦(RTP-50)，12支/33千瓦(RTP-100);

18支/34千瓦(RTP-200), 36支/108千瓦(RTP-300)；

- 腔体冷却：水冷方式；

- 衬底冷却：氮气吹扫；

- 工艺气路：MFC控制，多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；

应用领域：

- 离子注入/接触退火；

- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；

- SiAu, SiAl, SiMo合金化；

- 低介电材料；

- 晶体化，致密化；

- 太阳能电池片键合；

快速退火炉主要几款型号：

1）  快速退火炉JetLight 50

产品特点：

1、基片从前面载入/取出；

2、红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；

3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计；

快速退火炉技术参数：

1、腔体尺寸：直径50mm×深度150mm；

2、红外卤素灯：6支； 大功率：15KW；

3、红外卤素灯冷却方式：风冷；

4、温度范围：室温~1000 ℃；

5、温度精度：±1℃；

6、温度控制：快速数字PID控制；

8、热电偶：K型热电偶；

9、工艺气体气路配质量流量计：压力：2bars；

10、尺寸：500*500*400mm (W*D*H)；

2）快速退火炉JetFirst 100C

基片从前面载入/取出；

3）快速退火炉JetStar

也可以用于污染物处理；

基片从上面载入/取出；

大可支持的尺寸：直径为300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片；

大温度高达1000摄氏度；

升温速率为40K/sec；

降温速率分段控制：从1000℃到400℃，降温速率优于200K/sec。从400℃到100℃大降温速率控制在30K/sec；