其他品牌 品牌
经销商厂商性质
上海市所在地
伯东 Pfeiffer 真空泵用于同位素测试仪器
¥100000真空泵Hipace 1200及ACP 40用于制冷项目
¥100000伯东 Pfeiffer 真空泵用于真空管式炉
¥100000伯东 真空泵在分子束外延MBE设备上的应用
¥100000伯东Pfeiffer真空泵在石墨烯生长装置的应用
¥100000普发分子泵常见问题
¥100000涡轮分子泵的压缩比定义
¥100000分子泵内部油润滑与脂润滑区别
¥100000Pfeiffer 旋片泵日常保养及常见故障
¥100000分子泵组用于搭配低温阻抗测试仪
¥100000氦质谱检漏仪回旋加速器检漏
¥100000上海伯东提供金属焊接波纹管检漏方案
¥100000半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料,是科学研究的重要材料。
本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。
SiO2预清洗的原因:
SiO2在刻蚀前需要将其表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除,且不破坏晶体的表面特性。
KRI离子源在SiO2基片预清洗方法:
客户自己搭建真空系统,集成离子源,具体做法如下。
1.将SiO2基片放进真空系统,调整离子源;
2.抽取真空到某真空度后,启动离子源;
3.利用离子源释放的能量对SiO2基片进行轰击;
KRI离子源在SiO2材料预清洗客户案例:
成都某工艺研究所,通过伯东购买离子源KDC40
KRI离子源优势:
1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面。
2.KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行。
3.不僅廣泛應用於生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快。
4.可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易。
伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解 燃料电池储氢系统氦质谱检漏法 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐