电容率测试仪

本试验方法包含当所用标准为集成阻抗时，实心电绝缘材料样本的相对电容率，耗散因子，损耗指数，功率因子，相位角和损耗角的测定。列出的频率范围从小于1Hz到几百兆赫兹。

介损损耗tgδ 0-1 ±1.5%  tgδx±0.0001

电容量Cx 40pF—20000pF ±0.5%  Cx±2pF

本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30%-80%条件下，应满足下列表中的技术指示要求。

Bartnikas, 第1章, “固体电介质损耗,” 工程电介质,Vol IIA, 实心绝缘材料的电学性能: 分子结构和电学行为, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

10×1kΩ                             1max≤15mA

10×10Ω                             l max≤150mA

电容率测试仪

引用文件

当前版本核准于2011年8月1日。2011年8月发行。原版本在1922年批准。前一新版本于2004年批准，即为 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

测量项目 测量范围 测量误差

10×100Ω                            1max≤120mA

介电常数介质损耗测试仪1.范围

介损损耗tgδ 0-0.1 ±1.5%  tgδx±0.0001

内附标准电容损耗﹤0.00005，名义值100pF

在使用中，本电桥顶A，B对V点的电压高不超过11V，R3桥臂各盘的电流不超过下列规定：

Bartnikas, 第2章, “交流电损耗和电容率测量,” 工程电介质, Vol. IIB, 实心绝缘材料的电学性能, 测量技术, R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

电容量Cx 4pF—2000pF ±0.5%  Cx±3pF

内附高压电源精度3%

ASTM标准：4

测量项目 测量范围 测量误差

工作电压说明

本标准是以固定代号D150发布的。其后的数字表示原文本正式通过的年号；在有修订的情况下，为上一次的修订年号；圆括号中数字为上一次重新确认的年号。上标符号（ε）表示对上次修改或重新确定的版本有编辑上的修改。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）时

电桥采用接触电阻小，机械寿命长的十进开关，保证测量的稳定性 I=ω V C

仪器具有双屏蔽，能有效防止外部电磁场的干扰。

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）时

电桥的特点；

仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理，使仪器技术性能稳定可靠。