关键词：RIE、RIBE、反应离子束刻蚀、CAIEB、化学辅助离子束刻蚀、
过渡金属、磁性材料、MRAM、GMR、TMR、Pt、Cu、TeGe、PZT
型号：MU 450; 产地：欧洲；
应用：过渡金属, PZT, 磁性材料(MRAM, GMR, TMR), Pt, Cu, TeGe 等;
代表性用户：法国科学研究中心（CNRS）、意法半导体（ST）
基本配置如下：
主腔体：不锈钢原著腔体
真空系统：采用35m3/h干泵+1600l/s全磁性分子泵
采用潘宁真空计、膜片真空计
真空度≤3×10-7mbar
20min 内抽真空到2×10-6mbar
样品台：马达驱动、水冷可接纳4/6英寸衬底，
可以旋转，转速2-20rpm，
可以在0-180°倾斜，精度和可重复性优于0.1°
样品台倾斜不改变衬底与离子源之间的距离
ICP源：束能100-1000eV，束流＞500mA@1000eV
均匀性：±3% on 90mm, ±6% on 140 mm
气路：两条氩气气路，分别配置MFC（50sccm，10sccm）
刻蚀监控：SIMS，分子泵240l/s+机械泵5m3/h，潘宁/皮拉尼真空计
Z方向运动：马达驱动，量程75mm
溅射源：3英寸磁控阴极带靶源
氧气气路，配带10sccm MFC
马达驱动高度方向移动，量程100mm
13.56MHz，300W 射频电源
均匀性优于±5%@100mm
控制系统：全自动控制，半自动和手动模式可用
支持多级用户权限设置和管理
支持设备远程操作、监控、诊断和维护
系统自动报警及定位故障
