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所在地
封装 | Metal |
封装等级 | TO-8 |
制冷方式 | Non-cooled |
光谱响应范围 | 0.32 to 1.7 μm |
探测器(1) | Si |
光敏面尺寸 (1) | 2.4×2.4 mm |
峰值灵敏度波长(典型值)(1) | 0.94 μm |
灵敏度(典型值)(1) | 0.45 A/W |
探测器(2) | InGaAs |
光敏面尺寸 (2) | φ1 mm |
峰值灵敏度波长(典型值)(2) | 1.55 μm |
灵敏度(典型值)(2) | 0.55 A/W |
测量条件 | Typ., Ta=25 ℃, unless otherwise noted |