E+E温湿度传感器芯片

HCT01E+E温湿度传感器芯片

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具体成交价以合同协议为准
2024-11-13 02:30:48
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上海蒸鑫电子科技有限公司

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产品简介

HCT01温湿度传感器结合了高品质,长期认证的具有简单可加工性的薄膜传感器技术以及可以经济有效的集成在客户应用中等特点。预校准的电容式E+E湿度敏感元件节省了复杂且耗时的湿度校准。高精度的薄膜元件用于温度测量-这是准确测量露点的必要条件。DFN封装确保了传感器机械保护并可进行回流焊。传感器表面上的镀膜可以准确的防止灰尘,盐雾或化学沉积物等污染。

详细介绍

温湿度传感器(详见产品规格书)

HCT01

HCT01温湿度传感器结合了高品质,长期认证的具有简单可加工性的薄膜传感器技
术以及可以经济有效的集成在客户应用中等特点。
预校准的电容式E+E湿度敏感元件节省了复杂且耗时的湿度校准。高精度的薄膜元
件用于温度测量-这是准确测量露点的必要条件。
DFN封装确保了传感器机械保护并可进行回流焊。传感器表面上的镀膜可
以准确的防止灰尘,盐雾或化学沉积物等污染。

特点:

温湿度传感器一体封装
湿度预校准
成熟的湿度测量技术
温度精度高
可过回流焊
集成的防尘过滤
标准DFN封装

技术数据:

湿敏原件
工作范围 湿度 0...100 RH
温度 -40...140°C (-40...284°F)
标称电容 C0 70 pF
湿度精度(30°C时)
HCT01
±2% RH (20...80% RH) ±3% RH (0...90% RH)
敏感特性 0.25 pF /% RH
温度依赖性 dC = -0,00083*RH(T-30°C) [pF]
滞后性 < 1.85%
长期稳定性 漂移 < 0.5% / 年2)
大供电电压(无直流供电) 大值5V
大直流供电电压 < 0.3V
并联电阻 Rp ≥ 100 MΩ
串联电阻 Rs ≤ 1200 Ω
响应时间 t63 ≤ 6s
外壳材质 镀铜铅框和绿色环氧化合物
引线精加工 镍钯金
敏感元件保护 E+E镀膜
存储温度 -40..55°C (-40...131°F)
尺寸 5x5x0.95 mm
包装 卷带包装
温度敏感元件 Mo1k Pt1000
标称电阻(在25°C时) R25 = 1000 Ohm R0 = 1000 Ohm
精度 dt = ±[0.2+0.008 * (t-25)] K DINB
响应时间 t63 ≤ 6s
特性 R = R0 * (1+A*t+B*t2) acc. EN60751
R0 = 928.73 Ohm
A = 0.0030659
B = 3.41*10-7
大直流 0.1mA (Icont)
大电流 1mA (Imax)
自身发热量 0.35 K/mW

 

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