化学气相沉积LPCVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

　　设备结构及特点

　　1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本

　　两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。

　　基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。

　　基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。

　　2、设备为水平管卧式结构

　　由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

　　反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了*的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

　　设备主要技术指标

　　化学气相沉积LPCVD-生产型

　　设备功能

　　该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

　　可提供相关镀膜工艺。

　　设备结构及特点：

　　设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

　　反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用;

　　整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

　　设备主要技术指标

　　LPCVD软件控制界面

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