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　　近日，中国科学院大学光电学院孟祥悦教授课题组及其合作者，首次发现通过氰基上具有孤对电子的N可以与Sn2+配位，进而抑制Sn2+的氧化。通过在FASnI3钙钛矿的前驱体溶液中引入具有氰基基团的2-氰乙基-1-碘化铵添加剂后，Sn2+的氧化被抑制。所得到的薄膜表现出低的非辐射复合和缺陷态密度。基于此薄膜的自供电光电探测器，表现出低的暗电流(1.04×10-9 A cm-2)，高的探测率(2.2×1013 Jones)，快的响应速度(2.62 µs)和良好的稳定性。在加入2-氰乙基-1-碘化铵分子后，器件的暗电流下降了接近一个数量级。通过抑制Sn2+氧化所增加的激活能被认为是暗电流下降的主要原因。此外，柔性光电探测器也表现出杰出的性能。由于杰出的自驱动光探测性能，光电探测器在0偏压和弱光的条件下被用于可穿戴人体健康监测。最终，光电探测器与32×32的薄膜晶体管背板集成，实现极弱光(170 nW cm-2)成像。
 

 

　　本工作首次报道了氰基基团用来抑制Sn2+的氧化。通过测试热激活载流子活化能，Sn2+氧化与光电探测器暗电流的关系被建立。所得到的光电探测器被用于可穿戴健康监测和弱光成像。这一成果近期发表在Advanced Materials上，孟祥悦教授是文章的通讯作者，课题组博士研究生刘天华为文章第一作者。(文/图 刘天华)