HVPE

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2021-12-07 08:43:15
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产品简介

产品信息简介：用于在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长GaN薄膜、厚膜及晶体生长，及AIN等外延生长

详细介绍

  • 产品信息
    简介：
     
    用于在蓝宝石、碳化硅等衬底上外延生长GaN薄膜、厚膜及晶体生长，及AIN等外延生长。
     
    产品性能：
     
    ◆工作温度：200~1200℃
     
    ◆结构方式：水平/垂直，片数：1/3/6/多片（科研/生产型）
     
    ◆双温区，动态高精度生长条件控制
     
    ◆低压、常压、微正压工艺方式，衬底片升降、旋转（厚膜/晶体生长）
     
     
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